“刻蚀技术可以分为两类，一是使用液态化学品的湿法刻蚀，让硅片在强酸强碱的泡澡淋浴中定量减肥。”

“二是使用气体等离子体的干法刻蚀，让硅片在化学气体的离子轰击下局部瘦身。”

“其中湿法刻蚀的技能早就被人类点亮，比如中世纪的欧洲人，会用酸性溶液，在金属盔甲上蚀刻雕花。”

“明代的《格古要论》中也有记载：凡刀剑器，打磨光净，用金丝矾矾之，其花纹则见。”

“明朝人说的金丝矾就是一种硫酸盐，因此当历史进入集成电路的时代，工程师们首先想到的也是利用各种酸碱的腐蚀性，来大规模地刻出芯片，制程工艺中的刻蚀之名，由此产生。”

“刻蚀中有三个关键指标：刻蚀速率，选择比和方向性。”

“其中刻蚀速率指的是物质被溶解的速度，通常用每分钟损失多少微米的厚度来计量。”

“在芯片制程中，一个部位的刻蚀深度，通常是用刻蚀时长来控制的，因此保证一个精确且恒定的刻蚀速率非常重要，而这对于刻蚀液的纯度，配比，和浓度变化的要求很高。”

“基于化学反应的湿法刻蚀，只能尽量减少横向刻蚀，完全的各向异性它做不到。”

“在芯片制程的早期，器件结构比较粗糙，线宽间距也够大，刻蚀方向性差一点，问题还不大。”

“但随着制程进入次微米级，湿法刻蚀就跟不上芯片的精度要求了，逻辑电路自然不用说，关键层需要纳米级的精密刻蚀，即便像dram之类相对粗糙的存储芯片，要刻出里面又窄又深的电容沟槽，也需要方向感极强的雕刻方法，这就是干法刻蚀。”

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